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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Puntuación global
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
38
En -58% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2106
2256
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
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