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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Puntuación global
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
38
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2106
2913
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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