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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
38
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2106
2340
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
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