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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Compara
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
22
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
20
22
Velocidad de lectura, GB/s
17.0
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3077
2272
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
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