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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
45
En 62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
45
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
2190
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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