RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
22
En 23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
18.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
22
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
3295
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link