RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
22
En 23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
18.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
22
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
3529
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link