RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
27
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
27
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
2290
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link