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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
46
En 63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
46
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
2396
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
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