RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Compara
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Puntuación global
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
32
En 47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.8
19.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
17
32
Velocidad de lectura, GB/s
22.8
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
15.4
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3391
3372
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link