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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Puntuación global
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
37
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1683
3085
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
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