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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Puntuación global
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Puntuación global
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1683
2305
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
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Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
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