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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Compara
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Puntuación global
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
39
En 5% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
39
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1683
2782
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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