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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Compara
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Puntuación global
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
37
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1683
1844
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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