Comparación de la memoria RAM Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Puntuación global

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

18 37

En -106% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

20.4 11.4

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

17.2 7.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 10600

En 1.81 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1683 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns