RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Compara
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Corsair VS1GB800D2 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair VS1GB800D2 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
47
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
1,361.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,680.7
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,361.1
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
460
2672
Corsair VS1GB800D2 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link