Comparación de la memoria RAM Corsair VS2GB1333D4 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Corsair VS2GB1333D4 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Puntuación global

Corsair VS2GB1333D4 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Corsair VS2GB1333D4 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 37

En 32% menor latencia

Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

21.4 12.9

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

14.3 7.9

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 10600

En 1.81 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Corsair VS2GB1333D4 2GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1947 3448

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns