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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Puntuación global
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Puntuación global
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
51
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
1,839.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,246.9
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,839.1
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
721
3465
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
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