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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Compara
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
34
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2636
3082
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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