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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
27
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
3129
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
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