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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En -16% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
25
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
2792
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
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