RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
32
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
16.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
2849
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link