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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
66
En 56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
66
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
1909
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
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