RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En 12% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
16.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
2806
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link