RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
25
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
3942
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link