RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
29
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
3098
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link