RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
29
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
2935
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link