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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
32
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
2612
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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