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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En -12% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
26
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
3008
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
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