RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
64
En 55% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
64
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
2197
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMZ8GX3M2B1600C9 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link