RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
39
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
39
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
2782
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link