RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En -12% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
26
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
2157
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link