RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En 12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
1806
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link