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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
50
En 42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
50
Velocidad de lectura, GB/s
16.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2601
2512
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
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