Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Puntuación global
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Puntuación global
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 56
    En 48% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.0 left arrow 10.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    20.1 left arrow 16.9
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 56
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.9 left arrow 20.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    12.0 left arrow 10.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2601 left arrow 2455
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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