RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
30
En 20% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
11.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
30
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
2834
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5458-011.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Informar de un error
×
Bug description
Source link