RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Compara
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Puntuación global
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En 14% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
11.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2445
3838
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link