RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
42
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
2277
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link