RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
42
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
3072
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link