RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
42
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
3418
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link