RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
42
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
2400
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link