RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
42
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
3394
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link