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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
23
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2096
3392
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
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