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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Compara
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Puntuación global
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2096
2806
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
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