RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Compara
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
60
En 62% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
60
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2096
2511
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link