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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Compara
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
36
En 36% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2096
3351
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
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