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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
40
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2209
3606
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
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