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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
40
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2209
3178
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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