RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Compara
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
40
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
23.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
23.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2209
4124
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link