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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
40
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2209
3151
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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